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IBM攻破5nm工艺硅的极限在哪里?
发布时间:2024-04-11
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本文摘要:5nm被攻陷!IBM是如何做的?硅的无限大究竟是不是超过呢?答案是,没。近日,IBM的一个研究小组详尽讲解了一项突破性的晶体管设计,该项设计需要推展半导体工艺承托的发展,使得摩尔定律向前更进一步,构建更为经济的工艺递归。 与之前很多研究明确提出的使用新材料来替换现有材料的方法有所不同,IBM明确提出的解决问题方法,是使用一种确实不切实际的,需要在几年内构建大规模量产的新工艺,而不是一种概念性的方法。

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5nm被攻陷!IBM是如何做的?硅的无限大究竟是不是超过呢?答案是,没。近日,IBM的一个研究小组详尽讲解了一项突破性的晶体管设计,该项设计需要推展半导体工艺承托的发展,使得摩尔定律向前更进一步,构建更为经济的工艺递归。

与之前很多研究明确提出的使用新材料来替换现有材料的方法有所不同,IBM明确提出的解决问题方法,是使用一种确实不切实际的,需要在几年内构建大规模量产的新工艺,而不是一种概念性的方法。对于那些将要经常出现的技术,例如自动驾驶汽车、人工智能、5G等等新技术,这一工艺的工程进度需要十分及时的应用于并推展这些技术的发展。IBM的研究小组展开5nm结构的研究5nm的突破在哪里几十年来,全球的半导体产业仍然着迷于晶体管的小型化。

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如何以更加较低的成本将更加多的晶体管挤入芯片的同时,构建更高的速度和更加较低的功耗是半导体行业孜孜不倦的事情。英特尔牵头创始人GordonMoore在1965年明确提出的知名的摩尔定律就指出芯片上晶体管的数量需要每年翻一番。1975年之后,虽然摩尔定律经过了多次修改,行业在芯片上减少晶体管数量的速度也渐渐上升。

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但是不可否认,业界仍然需要寻找增大晶体管的方法。为了构建这一目标就必须大大需找新的方法。

上一次明确提出新的方法是在2009年,发售的新的晶体管设计方法就是我们所熟悉的FinFET。


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